Thiết lập kỷ lục thế giới ép xung với Z690 AORUS TACHYON

Tần số bộ nhớ ép xung vượt trội, đạt chuẩn HWBOT với thiết kế tối ưu và cải tiến điều chỉnh.

GIGABYTE Technology đã ra mắt bo mạch chủ Z690 AORUS TACHYON với bộ vi xử lý Intel^® Core™ i9 12900K thế hệ thứ 12 mới nhất và tản nhiệt nitơ lỏng LN2 thiết lập kỷ lục ép xung hàng đầu thế giới DDR5 -10022, được xác minh bởi HWBOT.

GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON được thiết kế bởi chuyên gia ép xung nổi tiếng thế giới, trang bị nhiều chức năng dành riêng cho các tay ép xung vượt trội, hứa hẹn đẩy điểm ép xung cao hơn với thao tác dễ dàng hơn, khẳng định vai trò hàng đầu của GIGABYTE trong việc ép xung trên bo mạch chủ Z690. 

Kỷ lục thế giới DDR5 này do GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON thiết lập đã được xác nhận bởi HWBOT - trang web xác minh kỷ lục ép xung nổi tiếng thế giới, chuyên gia ép xung HiCookie đã lập kỷ lục hàng đầu ở tốc độ 5011MHz (DDR5-10022) sử dụng bộ nhớ DDR5 AORUS RGB single với lõi i9 12900K trên bo mạch chủ Z690 AORUS TACHYON do anh tự thiết kế trong cuộc thi ép xung bộ nhớ DDR5.

“Z690 AORUS TACHYON chứng minh sức mạnh nghiên cứu và phát triển sản phẩm mạnh mẽ của GIGABYTE bằng các kỷ lục thế giới về ép xung DDR5-10022 mà hãng đã tạo ra và không có sự thay đổi đáng kể về thời gian bộ nhớ. Chúng tôi chắc chắn sẽ sử dụng Z690 AORUS TACHYON để tạo ra hiệu suất ép xung tốt hơn và rất nóng lòng chờ đợi những chuyên gia ép xung trên toàn thế giới sử dụng bo mạch chủ này để phá vỡ nhiều kỷ lục thế giới hơn!

GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON được thiết kế bởi các chuyên gia ép xung nổi tiếng dành riêng cho nhu cầu ép xung với sự nhất quán từ thế hệ trước cũng như độ bền và độ ổn định đã được công nhận của GIGABYTE, Z690 AORUS TACHYON sử dụng nguồn 15+1+2 pha trực tiếp và mỗi pha đều có thể giữ được tối đa 105 ampe với thiết kế Smart Power Stage nhằm cung cấp khả năng quản lý điện năng toàn diện. Khu vực VRM triển khai một ma trận tụ điện tantalum đầy đủ với đáp ứng nhất thời tốt hơn và ít nhiễu cơ học hơn, có thể cải thiện độ ổn định của nguồn điện và ép xung.

Hơn nữa, giải pháp Reactive Armor mới nhất sử dụng tản nhiệt kim loại một mảnh tích hợp để cung cấp phạm vi tản nhiệt lớn hơn. Các công nghệ Shielded Memory Routing, SMD memory DIMMs và cài đặt BIOS ép xung bộ nhớ DDR5 toàn diện cũng tăng cường độ ổn định khi ép xung.

Bên cạnh đó, thiết kế bộ ép xung tích hợp trên bo mạch chủ cung cấp các phím tắt, công tắc bật tắt và chức năng phát hiện điện áp mà nhiều người ép xung sử dụng trong quá trình điều chỉnh ép xung. Bộ công cụ này cho phép người ép xung điều chỉnh cài đặt thuận tiện hơn thông qua các chức năng phím tắt này, dễ dàng phá vỡ giới hạn và đạt được kết quả ép xung tốt hơn./.