Gigabyte trình làng bo mạch chủ B660/ H610 nổi bật

Bộ nguồn tiên tiến, thiết kế tản nhiệt tối ưu cùng khả năng lưu trữ và truyền tải cực nhanh khẳng định đẳng cấp hàng đầu về chất lượng, nghiên cứu và phát triển sản phẩm.

Công ty TNHH Công nghệ GIGABYTE đã ra mắt bo mạch chủ B660 và H610, mang đến nền tảng linh hoạt và mạnh mẽ cho người dùng. Sử dụng thiết kế DrMOS VRM lên đến 16+1+1 pha; mỗi pha chứa tối đa 60 ampe và thiết kế tản nhiệt full cover, dòng sản phẩm GIGABYTE B660 và H610 hỗ trợ hoàn hảo các bộ xử lý Intel^® Core™ thế hệ thứ 12 mới nhất.

Hai cấu hình bộ nhớ DDR4 và DDR5 với các chức năng XMP thú vị mang lại hiệu suất đáng kinh ngạc, lưu trữ vượt trội, khả năng mở rộng và mạng linh hoạt, dòng sản phẩm GIGABYTE B660 và H610 mang lại hiệu suất tối ưu ngoài mong đợi của người dùng.

 Khởi đầu với chipset B560, Intel^® đã đưa tính năng ép xung bộ nhớ lên chipset B660 mới nhất với sự hỗ trợ của cả DDR4 và DDR5, vốn được người dùng ưa chuộng trên dòng B. Để cấp nguồn ổn định cho CPU khi hoạt động tốc độ cao và tăng cường ép xung XMP trên bộ nhớ, dòng bo mạch chủ GIGABYTE B660 AORUS và GAMING sử dụng tới 16+1+1 pha nguồn với 60Amp mỗi pha.

Dòng sản phẩm AORUS cũng trang bị bộ tản nhiệt full cover và miếng tản nhiệt 5 W/mK để mang lại tản nhiệt tiên tiến và cải thiện độ ổn định trên vùng VRM.

Bo mạch chủ GIGABYTE B660 tiếp tục hỗ trợ DDR4 và DDR5 từ chipset Z690. Được cải tiến bởi thiết kế bố cục độc quyền, các model hỗ trợ DDR4 có thể đạt tốc độ ấn tượng 5600 MHz*, còn các model DDR5 được hưởng lợi từ kiến ​​trúc bộ nhớ mới để cung cấp hiệu suất năng lượng cao, độ trễ thấp và tiêu thụ điện năng ít.

Ngoài ra, bo mạch chủ GIGABYTE B660 DDR5 còn nâng cấp một số tính năng nâng cao từ dòng Z690. Tính năng “DDR5 Unlocked Voltage” có thể mở khóa phạm vi điều chỉnh của điện áp gốc bộ nhớ DDR5, cho phép người dùng đạt được xung nhịp bộ nhớ cao hơn với độ ổn định cao hơn. Hơn nữa, cài đặt BIOS được tối ưu hóa tương ứng lên một cấp độ mới, “DDR5 Auto Booster” có thể tăng tần số gốc của DDR5 từ 4800 MHz lên 5000 MHz chỉ với một cú click chuột đơn giản và tự động tăng cường bộ nhớ sau khi tải Windows. Điều này sẽ cải tiến hiệu suất khi sử dụng máy tính.

“DDR5 XMP Booster” cho phép người dùng nhanh chóng lựa chọn từ nhiều cấu hình ép xung bộ nhớ được tích hợp sẵn và điều chỉnh trước. “XMP 3.0 User Profile” hỗ trợ người dùng tự tạo và burn in XMP để giải phóng hiệu suất cực cao của bộ nhớ. Đáng nói nhất, tần số bộ nhớ của bo mạch chủ GIGABYTE B660 DDR5 có thể được tăng lên XMP 6000 MHz.

Đối với người dùng có kế hoạch cải thiện hiệu suất hệ thống bằng cách củng cố tốc độ truy cập của thiết bị lưu trữ, GIGABYTE B660 AORUS, GAMING M-ATX và các model cao hơn đã tích hợp 2 bộ khe cắm PCIe 4.0 M.2 và ít nhất 1 bộ bảo vệ nhiệt. Thiết kế này không chỉ giải nén hiệu suất tối đa ở tốc độ 7000 MB/s của SSD controller PCIe 4.0 mới nhất mà người dùng còn có thể cải thiện tốc độ truy cập bằng cách định cấu hình RAID.

Về kết nối, bo mạch chủ GIGABYTE B660 AORUS và dòng GAMING trang bị mạng Ethernet 2.5Gb và WiFi 802.11ax 6/ 802.11ac. Với cấu hình phù hợp, người dùng có thể tận hưởng mạng băng thông cao mà không gặp rắc rối gì khi tham gia các trận chiến game nảy lửa hoặc lưu trữ mạng.

Khi nói đến khả năng mở rộng bên ngoài, bo mạch chủ GIGABYTE B660 sử dụng USB 3.2 Gen2x2 Type C tốc độ 20 Gbps và thiết kế USB 3.2 Gen 2 Type-C phía trước cung cấp tốc độ truyền nhanh hơn và hiệu quả hơn các bộ lưu trữ bên ngoài.

Bo mạch chủ GIGABYTE B660 và H610 hiện đã có mặt trên thị trường. Cùng với bo mạch chủ Z690, dòng sản phẩm GIGABYTE Intel^® 600 mạnh mẽ là sự lựa chọn tối ưu của máy tính chơi game và cao cấp. Để biết thêm thông tin chi tiết, vui lòng truy cập trang web chính thức của GIGABYTE: https://www.gigabyte.com/Motherboard

*DDR4 5600 MHz và DDR5 XMP 6000 MHz là dữ liệu trong phòng thí nghiệm, kết quả thực sẽ khác nhau tùy theo thiết kế phần cứng của CPU, bo mạch chủ, thiết bị ngoại vi và cài đặt. Vui lòng tham khảo danh sách hỗ trợ bộ nhớ để biết thêm thông tin./.